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VBP104FAS, VBP104FASR
1000
100
10
www.vishay.com
1.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
Vishay Semiconductors
1
V R = 5 V
λ = 950 nm
0.3
0.2
0.1
0.1
0.01
94 8 421
0.1
E e - Irradiance
1
(m W /cm 2 )
10
0.0
600
21743
700
8 00 900 1000
λ - W a v elength (nm)
1100
Fig. 3 - Reverse Light Current vs. Irradiance
Fig. 6 - Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
100
λ = 950 nm
0°
10°
20°
30°
1 m W /cm 2
0.5 m W /cm 2
1.0
40°
10
0.2 m W /cm 2
0.1 m W /cm 2
0.9
0. 8
50°
60°
0.05 m W /cm
2
0.7
70°
8 0°
1
0.1
1
10
100
0.6
0.4
0.2
0
94 8 422
V R - Re v erse Voltage (V)
94 8 406
Fig. 4 - Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
8 0
Fig. 7 - Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
60
40
20
0
E=0
f = 1 MHz
0.1
1
10
100
94 8 423
V R - Re v erse Voltage (V)
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Rev. 1.2, 24-Aug-11
3
Document Number: 81169
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
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